射频溅射的基本原理
两极间接上射频(5~30MHz，国际上多采用13.56MHz)电源后，两极间等离子体中不断振荡运动的电子从高频电场中获得足够的能量，并更有效地与气体分子发生碰撞，并使后者电离，产生大量的离子和电子，此时不再需要在高压下(10Pa左右)产生二次电子来维持放电过程，射频溅射可以在低压(1Pa左右)下进行，沉积速率也因此时气体散射少而较二极溅射为高;高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入沉积室，而不必再要求电极一定要是导体;由于射频方法可以在靶材上产生自偏压效应，即在射频电场作用的同时，靶材会自动处于一个较大的负电位下，从而导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射，而在衬底上自偏压效应很小，气体离子对其产生的轰击和溅射可以忽略，主要是沉积过程。
射频溅射的应用
近年来，射频溅射在研制大规模集电路绝缘膜、压电声光功能膜、化合物半导体膜及高温超导膜等方面有重要应用。
射频溅射的特点
1、可在低气压下进行，溅射速率高。
2、不仅可溅射金属靶，也可溅射绝缘靶，可以把导体，半导体，绝缘体中的任意材料薄膜化。
3、必须十分注意接地问题。
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